ST STL30P3LLH6
P-канал30 V30A (Tc)1 В @ 250 мкА (мин.)75 Вт (Тс)175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьSTL30P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
₽71.60
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
This device is a P-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET DeepGATE technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
Features
DeepGATE™, STripFET™ VI SeriesVery low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss
Drain-source voltage: 30v
Applications
Rotary Switch
DIP Switch
Limit Switch
Reed Switch
Rocker Switch
Toggle Switch
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
STL17N3LLH6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
STL15DN4F5
STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 40V 60A POWERFLAT
STL2N80K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
STL23NM60ND
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 19.5A POWERFLAT
STL160N3LLH6
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
STL23NS3LLH7
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 92A POWERFLAT
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: DeepGATE™, STripFET™ VI
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: P-канал
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 30A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 30 мОм @ 4,5 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 1 В @ 250 мкА (мин.)
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 12 нК при 4,5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1450 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 75 Вт (Тс)
Рабочая температура: 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PowerFlat™ (5x6)
Упаковка / Кейс: 8-PowerVDFN
STMicroelectronics
STMicroelectronics (ST) - ведущая полупроводниковая компания, основанная в 1987 году со штаб-квартирой в Женеве, Швейцария. Компания предлагает широкий спектр полупроводниковых решений для автомобильной, промышленной, персональной электроники и коммуникационных приложений. Портфель продуктов ST включает в себя микроконтроллеры, датчики, аналоговые ИС и микросхемы управления питанием.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
STF6N95K5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 9A TO220FP
STD5N52U
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
STN3NF06L
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
STW28N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
STP21N65M5
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB
STW70N60M2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 68A TO247
STP7NK80ZFP
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
STW3N150
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247-3
STN1NK80Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
STF9NK90Z
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP