Infineon AUIRF7342Q
MOSFET (оксид металла)Затвор логического уровня2 P-канала (сдвоенные)55V3.4A105 мОм @ 3,4 А, 10 В3 В @ 250 мкА
СравнитьAUIRF7342Q
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
₽7.00
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® SeriesTube Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
Logic Level Gate FET Feature
55V Drain to Source Voltage (Vdss)
3.4A Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
105mOhm @ 3.4A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
38nC @ 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
690pF @ 25V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2W Power - Max
Surface Mount Mounting Type
Applications
Advanced Planar Technology
Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
Dual P-Channel MOSFET
Dynamic dV/dT Rating
150°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Lead-Free, RoHS Compliant
Automotive Qualified
AUIRF7342Q Applications
Port Injection
Solenoid Injection
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
AUIRF4905S - 20V-150V P-CHANNEL
AUIRF7313Q
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SOIC
AUIRF7341Q
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
AUIRF7341QTR
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
AUIRF6215
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 150V 13A TO220AB
AUIRF4905STRL
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK
AUIRF5210S
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Устаревший
Технология: MOSFET (оксид металла)
Характеристика FET: Затвор логического уровня
Конфигурация: 2 P-канала (сдвоенные)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 55V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 3.4A
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 105 мОм @ 3,4 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 38nC @ 10V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 690 пФ @ 25 В
Максимальная мощность: 2W
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Поставщик Упаковка устройства: 8-SOIC
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
ACS712ELCTR-05B-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 5A AC/DC
A1326LLHLT-T
Allegro MicroSystems
SENSOR HALL EFFECT ANALOG SOT23W
ACS758LCB-100B-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A3906SESTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 2.5-9V 20QFN
A3988SEVTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRVR BIPOLAR 3-5.5V 36QFN
A4982SLPTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 24TSSOP
A3938SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MOTOR DRIVER 18V-50V 38TSSOP
ACS713ELCTR-30A-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 30A DC
ACS758LCB-100U-PFF-T
Allegro MicroSystems
SENSOR CURRENT HALL 100A 5-CB
A4989SLDTR-T
Allegro MicroSystems
IC MTR DRV BIPOLR 3-5.5V 38TSSOP