Infineon AUIRF7640S2TR
N-канальный60 V5.8A (Ta), 21A (Tc)5 В @ 25 мкА2,4 Вт (Ta), 30 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRF7640S2TR
MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
₽141.43
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® SeriesAdvanced Process Technology
Optimized for Class D Audio Amplifier and High-Speed Switching Applications
Low Rds(on) for Improved Efficiency
Low Qg for Better THD and Improved Efficiency
Low Qrr for Better THD and Lower EMI
Low Parasitic Inductance for Reduced Ringing and Lower EMI
Delivers up to 100W per Channel into 8? Load
Dual Sided Cooling
175°C Operating Temperature
Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability
Lead-free, RoHS and Halogen-free
Automotive Qualified
Applications
Automotive Class D audio amplifier
Home theater in a box systems
Mobile phones
Hearing aids
Powered speakers
High-end audio
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 5.8A (Ta), 21A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 36 мОм @ 13 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 5 В @ 25 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 11 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 450 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,4 Вт (Ta), 30 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: DIRECTFET SB
Упаковка / Кейс: Изометрическая СБ DirectFET™
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23