Infineon AUIRFB8405
N-канальный40 V120A (Tc)3,9 В @ 100 мкА163 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьAUIRFB8405
MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
₽155.53
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® Seriesa continuous drain current (ID) of 120A
the turn-off delay time is 55 ns
a threshold voltage of 3V
a 40V drain to source voltage (Vdss)
Through Hole Mounting Type
Applications
There are a lot of Infineon Technologies
AUIRFB8405 applications of single MOSFETs transistors.
- DC/DC converters
- Power Tools
- Motor Drives and Uninterruptible Power Supples
- Synchronous Rectification
- Battery Protection Circuit
- Telecom 1 Sever Power Supplies
- Industrial Power Supplies
- PFC stages, hard switching PWM stages and resonant switching
- PWM stages for e.g. PC Silverbox, Adapter, LCD & PDP TV,
- Lighting, Server, Telecom and UPS.
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF7739L2TR
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 46A/270A DIRECT
AUIRF7343Q
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
AUIRF7343QTR
Infineon Technologies
MOSFET 55V 4.7A/3.4A 8SO
AUIRF7739L2TR
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
AUIRF7342QTR
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
AUIRF7640S2TR
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 120A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,5 мОм @ 100 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,9 В @ 100 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 161 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 5193 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 163 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220AB
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO