Infineon AUIRF7739L2TR
N-канальный40 V46A (Ta), 270A (Tc)4 В @ 250 мкА3,8 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRF7739L2TR
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
₽645.59
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Features
HEXFET® SeriesTape & Reel (TR) Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
40 V Drain to Source Voltage (Vdss)
46A (Ta), 270A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1mOhm @ 160A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
4V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
330 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
11880 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
3.8W (Ta), 125W (Tc) Power Dissipation (Max)
Surface Mount Mounting Type
DirectFET™ Isometric L8 Supplier Device Package
DirectFET™ Isometric L8 Package / Case
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 46A (Ta), 270A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1 мОм при 160 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 330 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 11880 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,8 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Изометрическая схема DirectFET™ L8
Упаковка / Кейс: Изометрическая схема DirectFET™ L8
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223