Infineon AUIRFB8409
N-канальный40 V195A (Tc)3,9 В @ 250 мкА375 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Сквозное отверстие
СравнитьAUIRFB8409
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
₽383.17
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's Automotive-qualified COOLiRFET™ Power MOSFETs achieve very low on-resistance (RDS(on)), very low conduction loss, resulting in highly efficient switching speeds of high current signals. They deliver higher efficiency, power density and reliability in harsh signal environments with robust avalanche performance, low conduction losses, fast switching speeds, and 175°C maximum junction temperature.
Features
HEXFET® SeriesBulk Package
MOSFET (Metal Oxide) Technology
40 V Drain to Source Voltage (Vdss)
195A (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.3mOhm @ 100A, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9V @ 250µA Vgs(th) (Max) @ Id
450 nC @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
±20V Vgs (Max)
14240 pF @ 25 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
375W (Tc) Power Dissipation (Max)
Through Hole Mounting Type
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRF7739L2TR
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 46A/270A DIRECT
AUIRF7343Q
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 55V 4.7/3.4A 8SOIC
AUIRF7343QTR
Infineon Technologies
MOSFET 55V 4.7A/3.4A 8SO
AUIRF7739L2TR
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 46A DIRECTFET
AUIRF7342QTR
Infineon Technologies
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC
AUIRF7640S2TR
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 40 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 195A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 1,3 мОм при 100 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 3,9 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 450 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 14240 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 375 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: TO-220AB
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK