Свяжитесь с нами
pусский
IPP60R120P7XKSA1

Infineon IPP60R120P7XKSA1

N-канальный600 V26A (Tc)4 В @ 410 мкА95 Вт (Тс)-55°C ~ 150°C (TJ)Сквозное отверстие

Сравнить
Infineon Technologies
IPP60R120P7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 26A TO220-3
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽128.39

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Overview

The IPP60R099CPA is MOSFET N-Ch 650V 31A TO220-3 CoolMOS CPA, that includes CoolMOS CPA Series, they are designed to operate with a Tube Packaging, Part Aliases is shown on datasheet note for use in a IPP60R099CPAAKSA1 IPP60R099CPAXK SP000315418, that offers Unit Weight features such as 0.211644 oz, Mounting Style is designed to work in Through Hole, as well as the CoolMOS Tradename, the device can also be used as TO-220-3 Package Case. In addition, the Technology is Si, the device is offered in 1 Channel Number of Channels, the device has a Single of Configuration, and Transistor Type is 1 N-Channel, and the Pd Power Dissipation is 255 W, it has an Maximum Operating Temperature range of + 150 C, it has an Minimum Operating Temperature range of - 55 C, and Fall Time is 5 ns, and the Rise Time is 5 ns, and Vgs Gate Source Voltage is 20 V, and the Id Continuous Drain Current is 31 A, and Vds Drain Source Breakdown Voltage is 650 V, and the Rds On Drain Source Resistance is 99 mOhms, and Transistor Polarity is N-Channel, and the Typical Turn Off Delay Time is 60 ns, and Typical Turn On Delay Time is 10 ns, and the Channel Mode is Enhancement.

IPP60R099P6XKSA1 with EDA / CAD Models, that includes Tube Packaging, they are designed to operate with a TO-220-3 Package Case, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, that offers Part Aliases features such as IPP60R099P6 SP001114650.

Features

CoolMOS™ P7 Series


Best-in-class V (GS)th of 3V and smallest V (GS)th variation of ± 0.5V

Integrated Zener diode ESD protection up to Class 2 (HBM)

Fully optimized portfolio

Best-in-class DPAK R DS(on) of 280m?

Best-in-class quality and reliability

Best-in-class FOM R DS(on) * E oss; reduced Qg, C iss, and C oss



Through Hole Mounting Type

Applications

Telecom

Lighting

Industrial SMPS

Server

TV power supply


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: CoolMOS™ P7
Пакет: Трубка
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 600 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 26A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 120 мОм @ 8,2А, 10В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 410 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 36 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 1544 пФ @ 400 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 95 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Сквозное отверстие
Поставщик Упаковка устройства: PG-TO220-3
Упаковка / Кейс: TO-220-3
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z