Свяжитесь с нами
pусский
AUIRF7759L2TR

Infineon AUIRF7759L2TR

N-канальный75 V375A (Tc)4 В @ 250 мкА3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж

Сравнить
Infineon Technologies
AUIRF7759L2TR
MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
paypalvisamastercarddiscover
upsdhlsf
Сравнить

₽25837.64

Обновление цены:несколько месяцев назад

Гарантия качества Bostock

912ob9001 201514001 201545001 201813485 2016esdduns
Детали продукта

Features

HEXFET® Series


  • Advanced Process Technology

  • Optimized for Automotive Motor Drive, DC-DC, and other Heavy Load Applications

  • Exceptionally Small Footprint and Low Profile

  • High Power Density

  • Low Parasitic Parameters

  • Dual Sided Cooling

  • 175°C Operating Temperature

  • Repetitive Avalanche Capability for Robustness and Reliability

  • Lead-free, RoHS and Halogen-free

  • Automotive Qualified



DirectFET™ Isometric L8 Package / Case

Applications


  • Power Management

  • Consumer Electronics

  • Portable Devices

  • Industrial


Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Активный
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 75 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 375A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 10V
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 2,3 мОм @ 96 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 4 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 300 нК при 10 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 12222 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 3,3 Вт (Ta), 125 Вт (Tc)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: Изометрическая схема DirectFET™ L8
Упаковка / Кейс: Изометрическая схема DirectFET™ L8
Infineon Technologies

Infineon Technologies

Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.

Новosti в реальном времени

Bostock по цифрам

Доход: 85M

$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.

Страны: 105

Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.

Отгруженные части: 25M+

Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.

Производители: 950

В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.

Все номера деталей продукции 0 - Z