Infineon AUIRLR3410
N-канальный100 V17A (Tc)2 В @ 250 мкА79 Вт (Тс)-55°C ~ 175°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьAUIRLR3410
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
₽86.22
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
Infineon's comprehensive portfolio of AECQ-101 Automotive-qualified single die N-channel devices addresses a wide variety of power requirements in many applications. This range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Features
HEXFET® SeriesAdvanced planar technology
Logic-level gate drive
Dynamic dV/dT rating
Fully avalanche rated
Available in the D-Pak package
Applications
Automotive applications
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
AUIRLR3110Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
AUIRLR3110ZTRL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
AUIRLR3114Z
Infineon Technologies
AUTOMOTIVE POWER MOSFET
AUIRGS4062D1
Infineon Technologies
IGBT, 59A I(C), 600V V(BR)CES, N
AUIRGP4062D-E
Infineon Technologies
AUIRGP4062D-E - AUTOMOTIVE IGBT
AUIRLR3110ZTRL
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 63A DPAK
AUIRLR3110Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
AUIRLR3114Z
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
AUIRLL2705
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
AUIRGP4062D-E
Infineon Technologies
IGBT 600V 48A TO247AD
AUIRGS4062D1
Infineon Technologies
IGBT 600V 59A 246W D2PAK
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: HEXFET®
Пакет: Насыпной
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 100 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 17A (Tc)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 105 мОм @ 10 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 250 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 34 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±16V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 800 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 79 Вт (Тс)
Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: D-Pak
Упаковка / Кейс: TO-252-3, DPak (2 провода + накладка), SC-63
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB