Infineon BSO4420
N-канальный30 V13A (Ta)2 В @ 80 мкА2,5 Вт (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)Поверхностный монтаж
СравнитьBSO4420
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
₽12.91
Обновление цены：несколько месяцев назадГарантия качества Bostock
Детали продукта
Overview
BSO350N3 with pin details manufactured by INFINEO. The BSO350N3 is available in SOP-8 Package, is part of the IC Chips.
The BSO4410 is MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC manufactured by INFINEON. The BSO4410 is available in 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Package, is part of the FETs - Single, , and with support for MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC, N-Channel 30V 11.1A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO.
Features
OptiMOS™ SeriesN-Channel
Logic Level
Avalanche rated
dv/dt rated
Very low on-resistance RDS(on)
Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)
Ideal for fast switching applications
Applications
Audio preamplifiers
High gain amplifiers
Sensor & detector circuits
Current limiting circuits
Analog switching circuits
Low-level signal amplification
Доставка
Упаковка
Похожие продукты
BSO303SPH
Infineon Technologies
7.2A, 30V, 0.021OHM, P-CHANNEL,
BSO215C
Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC
BSO150N03
Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO
BSO119N03S
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
BSO300N03S
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO
BSO094N03S
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Характеристики продукта
Выбрать все
Модельный ряд: OptiMOS™
Пакет: Лента и катушка (TR)
Статус части: Устаревший
Тип FET: N-канальный
Технология: MOSFET (оксид металла)
Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 30 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25°C: 13A (Ta)
Максимальное напряжение привода (Rds On), минимальное напряжение привода (Rds On): 4,5 В, 10 В
Максимальное сопротивление в состоянии покоя при токе стока и напряжении между затвором и источником: 7,8 мОм @ 13 А, 10 В
Максимальное пороговое напряжение затвора при токе стока: 2 В @ 80 мкА
Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 33,7 нК при 5 В
Максимальное напряжение источника затвора: ±20V
Максимальная входная емкость (Ciss) при Vds: 2213 пФ @ 25 В
Максимальная рассеиваемая мощность: 2,5 Вт (Ta)
Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления: Поверхностный монтаж
Поставщик Упаковка устройства: PG-DSO-8
Упаковка / Кейс: 8-SOIC (ширина 0,154", 3,90 мм)
Infineon Technologies
Infineon Technologies - ведущая мировая полупроводниковая компания, основанная в 1999 году со штаб-квартирой в Мюнхене, Германия. Компания специализируется на производстве высокопроизводительных силовых полупроводников, датчиков и микроконтроллеров для автомобильной промышленности, промышленности, управления питанием и IoT-сектора.
Новosti в реальном времени
Bostock по цифрам
Доход: 85M
$85 миллионов в доходах в 2022 году, увеличение на 63% по сравнению с 2021 годом.
Страны: 105
Bostock обслуживает клиентов в 105 странах мира.
Отгруженные части: 25M+
Мы отгрузили более 25 миллионов частей за последние пять лет, что составляет увеличение на 148% по сравнению с предыдущими пятью годами.
Производители: 950
В 2022 году Bostock продал части от более чем 950 производителей.
Популярные продукты
01 / 02
10
IRF9540NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 23A TO220AB
SI4435DYTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 8A 8SO
IRFS4310ZTRLPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
IRLR3114ZTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IRLML0030TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
IRLL014NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
IRF9530NPBF
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
IRF8736TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 18A 8SO
IRFR024NTRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
IRLML2402TRPBF
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23